*細胞
細胞膜：リン脂質で疎水性の構造が細胞の外側に局在している。
細胞骨格→アクチン、微小管
核: DNA→RNA＠小胞体

*MOSFET動作原理

http://www.nteku.com/toransistor/mos_toransistor.aspx

**ゲートに関して
ゲートはキャパシタとしてモデリングできる。
t_{ox}: 酸化膜厚
k_s: 比誘電率 (SiO_2で約4)
WL: W, LはChannelの面積
V_g: ゲートがかけた電圧
V_{TH}: しきい値←半導体による制約
V_c: チャネル中の平均的電圧
Q=\epsilon_0 k_s \frac{WL}{t_{ox}} (V_g – V_{th} – V_c)

**ソース、ドレイン間電圧に関して
電圧をかけると電子は速度vで動く。
\mu: 移動度
v = \mu E = \mu \frac{V_{ds}}{L}
\Delta t = L / v: チャネル中の電荷がそっくり入れ替わる時間
Q = I \Delta t
I = \frac{Q}{\Delta t}

**組み合わせると
I = \mu c_{ox} \frac{W}{L} (V_g – V_{TH} – \frac{1}{2} V_{DS})
= \mu (\epsilon_0 k_s / t_{ox}) \frac{W}{L} (V_g – V_{TH} – \frac{1}{2} V_{DS})

故に、ゲート-ソース間電圧に関して放物線の挙動を示す。
最大値はV_{DSMAX} = V_g – V_{TH}で\mu c_0 \frac{W}{L} \frac{V_{DSMAX}}{2}。
デザインするときは普通、W, Lを変更する。
\muはシリコンとかの材料を頑張ると変えられる。
k_sはハフニウムを混ぜると…などプロセスエンジニアが設計する。

**FETから取る電流の調整方法
FETを直列にすると電流は1/2倍
FETを並列にすると電圧は2倍

**設計方法
ダイオードとMOSFETのDs-Diグラフの交点として表される。